IGBTのアドバンテージ

IGBT、いわゆる絶縁ゲートバイポーラトランジスタはある二つの同様な電子部品の有益な性質を併せ持った半導体だ。電界効果トランジスタつまりMOSFETとバイポーラージャンクショントランジスタつまりBJTである。

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これらふたつのコンポーネントの特徴を持ち合わせることはIGBTにとってその他のスイッチング素子にくらべ大きな強みになった。高電圧や高速スイッチングが必要なところでは特にだ。MOSFETからとった特徴は、高速スイッチングと高入力インピーダンスで、BJTからは低飽和電圧だ。

 

IGBTのはじめの二文字はMOSFETの性質である絶縁ゲートテクノロジーに由来している。一方最後の二文字はBJTの性質であるバイポーラトランジスタ出力から来ている。IGBTの伝導の性質と出力スイッチングはバイポーラートランジスタの特有であり、そして電圧調整はMOSFETの代表的な特徴だ。

 

これらのIGBTの特徴的な長所は高電圧で高電流と同時に正確なスイッチングが要求されるような状況でバイポーラートランジスタやMOSFETが満足な働きを出来ない電力応用でも使用に適しているところだ。主にインバーターやコンバーター、そして電源のような装置にIGBTは応用している。

 

IGBTは三つの端子をもったトランスコンダクタンス装置だ。そのうちの二つ(コレクターとエミッター)は電気伝導路に関連していて、最後の端子は(ゲート)はコントロールに関連している。

 

IGBTはMOSFETのベース電流をもったパワーのあるBJTと考えることもできる。実際、IGBTはBJTやMOSFETと全く同じように利用できる。しかし、高速スイッチングで低コンダクタンスのためIGBTはそれ以外の使い方もある。これはパワーエレクトロニクス製品への使用にとって理想だ。

 

電流や電圧の評価はBJTと変わらないにもかかわらず、絶縁ゲートのおかげでIGBTは動かすのもBJTに比べるととても簡単だ。

 

IGBTはゲート端子に用いられてる電圧の変化によって動いている。正極電圧がゲートとエミッターに用いられているときは、装置はONの状態になっている。逆に入力信号が外れているときは、装置はオフになる。

ゲートに用いられている少量の電圧はデバイスを通して伝導を保つ。これは一定の電流がゲートに用いられることで飽和状態にしてしまうBJTと大きく違うところだ。

 

 

 

 

 

 

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