SD700FR電圧ディップテストで最高評価を受ける

SD700FR電圧ディップテストで最高評価を受ける

 

パワーエレクトロニクスのSD700FR 低ハーモニックリジェネドライブはIEC61000-4-34に記される対称電圧ディップおよび非対称電圧ディップの規格においてA B 評価を得た*1

SD700FRの新たなSWコントロールはモーターにパワーとトルクを与えることにより電圧ディップ時でも残留電圧を70%保つことができる*2。IGBTの最新のフロントエンド順変換器は母線電圧と入力電圧を高めて電圧ディップを補うことにより安定して適正なパワーがモーターに伝わることを可能とした。この機能性によって不安定なパワーネットワークや頻繁なディップの環境においてもプロセスや機材が被害を被ることなく不断のオペレーションを続けることができる。

更に入力電圧が70%を下回った場合SD700FRのドライブはシャットダウンを行い電圧が回復したときに自動再始動を行う。この機能により複雑な手動再起動は突然の停止を防ぐことができる

パワーエレクトロニクスCTOラロ・サルボ氏は「我々の商品は顧客様の提示するニーズとそのニーズに応えるR&Dチームによって技術の最先端にある」と語っている

*1 評価はIEC/EN61800の3つの規定、更に残留電圧による。詳しくはパワーエレクトロニクスにお尋ねください

*2 電圧変動時は過電流保護が起動しない。トリップした場合整流ダイードが入力電圧に比例したパワーをモーターに送る。

 

 

 

 

http://www.uscomponent.com/ja/は2001年よりIGBTのパワートランジスタモジュールを販売しております。ティッセンクルップ、オーチス・エレベータ・カンパニー、ザイログ、ソニーDADC、ゼネラルモーターズ、, Hongkong Electric Holdings Limited、SMRTトレインズ、チューリッヒ市交通局、チェコ航空、Molex、シスコシステムズ、オムロン株式会社、グッドイヤー・タイヤ・アンド・ラバー・カンパニー、タイ・エアアジア、ボーイングザイリンクス、 LEAR SIEGLER、ゼネラル・エレクトリック

 

http://www.uscomponent.com/ja/当社は他社にはない品質管理チームを設けております。商品管理システムを用いて常に商品に関してベストな状態を保持し、お客様に自信を持って高品質な商品を提供するものです。当社では新品、純正品を含め30日保障をお付けしており、お客様に安心も一緒にお届けします。IGBTの工場、OEM、卸売業者との調達ルートを生かし無駄なコストを省きお客様に常に低価格&高品質をご提供することが可能です。倉庫環境には最新の注意を払い、ハイスタンダードを維持しております

参照:http://www.uscomponent.com/ja/blog/

 

 

セーフシャットダウン(STO-セーフトルクオフ)の機能を追加したSD500

セーフシャットダウン(STO-セーフトルクオフ)の機能を追加したSD500

 

SD500ドライブの製品ラインにセーフシャットダウンモジュール(STO-セーフトルクオフ)が追加された。この機能はモーターへのパワーを安全に遮断することができる。STO機能及びセーフティリレーと緊急停止ボタンは整備時におけるリスクのあるアプリケーションで幅広く用いられる。STOの新機能はジェネラルサプライ接触器の据付けの必要性を無くしドライブの状態をモニターすることができる。

 

 

 

 

 

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IGBT1200Vプラットホームテクノロジー

 

IGBTつまり絶縁ゲートバイポーラトランジスタは

近年新世代のIGBTプラットホーム技術として売り出されている。最高クラスの省エネルギーと産業応用のため、ジェネレーション8・1200V IGBTプラットホームは最新のフィールド・ストップ・テクノロジーに使用されている。

 

 

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電力の浪費を抑える一方、さらにパワー密度を増やすことで、新しいジェネレーション8はVce(on)に驚異的な頑丈さをもたらしている。

 

 

最新のテクノロジーによるソフトターンオフの特徴はオーバーヴォルテージを最小限にすることと、EMIを減らすdv/dtだ。さらに、丈夫さとライアビリティーの増加もある。いくつかのIGBTを高電圧モジュールにつなげたとき、パラメーターの精密な分布がカレントシェアリングをうまく稼動させる。ウェーハーを薄くすることで、テクノロジーは最高接合部温度摂氏175度の熱抵抗を提供できる。

 

 

このジェネレーション8IGBTプラットホームは工業応用をターゲットにしている。この特徴である最高クラスのVCE(on)と最高のスイッチングは、工業応用の需要にさらに応えようとしている証である。

 

 

 

 

 

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IGBTタイプのパワートランジスタモジュールとSMD

 

中国でのパワートランジスタモジュールの供給は高価な製品がこのモジュールの売り上げを後押ししているおかげで過去最高だ。SMDが作られている一方、パフォーマーンスはアップグレードした。

 

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多くの工場はモバイル電子市場において様々なSMDを発売し続けてている。中国ではSMDはその部門において生産量の約40%を占めている。今後さらに5-10%増加する見込みだ。

 

多くの会社はMOSFETと同様にハイエンドなIGBTを計画している。目標は半導体産業において最も早い速度で成長しているこのマーケットを浸透させることだ。

 

IGBTやパワートランジスタモジュールの研究開発を追及するメーカーを励ます躍進がたくさんある。

 

 

 

多くの会社はより小さいく、熱抵抗があり、高効率の製品を求めている。この条件を満たすには、GANやSiCを含めたよりよい物理的性質をもった素材を使うことを求めている。最初のパッケージユニティーはよく知られているシリコンユニットより50%も低い電力消費だ。GANやSiCタイプの製品は摂氏200度以上の熱に耐えられる。これらの素材をパワートランジスタモジュールに使用する技術を用いるのはまだ難しそうで、それ故、生産はまだ海外の会社に独占されている。

 

パワートランジスタモジュールのカテゴリーにおいては多くの供給会社は生産をアップグレードさせると伴により高性能のチップを使うことで回路のデザインを改良し続けている。

 

 

 

全体的に、パワートランジスタとパワートランジスタモジュールの現在の市場価値のおかげで中国の事業は利益を得ていると見える。中国は半導体製造において重要な要素だ。この先3年間で、中国は世界的な生産数で50%を占めることになるだろう。

 

中国では、パワートランジスタやパワートランジスタモジュールはダーリントン、バイポーラー、MOSFET、GTR、そしてIGBTを含む。

 

一般的に企業はパワートランジスタもしくは回路部品を使用する。国内の供給者は抵抗器、誘導子、そして国内供給者から購入したコンデンサーを使う。

 

 

 

 

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トランジスターモジュールが人間の学習能力と同じに

 

人間の脳は880億の神経細胞で構成されている。それぞれの神経細胞は多くの回路につながっている。回路は常に刺激を受けて、結合を強くしたりまたは弱くしたりしている。

 

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ハーバード大学エンジニア・応用科学の科学者はシナプスの動きに似せた新しいパワートランジスタモジュールを開発した。このトランジスタモジュールの動きには回路を流れる情報を変えたり、そのシグナルの変化に適応することも含まれる。

 

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シナプスパワートランジスタモジュールは人工知能の始まりを表すサインだ。電子工学が発達していくと同時に、電力の消費を削減することに大きな影響を及ぼす可能性がある。

 

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人間の知性は20ワットの電気を流すことができるといわれていて、これは一般家庭で使われる電球より少ない量である。パワートランジスタモジュールは人間の脳のシナプスに印象的な相似がある。神経が何かしらの動きや反応をするたびに二つの神経間のシナプスは結合を強くする。シナプスの結合が強くなれば、ニューロンスパイクは早くなるのだ。

 

 

カルシウム受容体とイオン変化は生物のシナプスにおいて効果的な変化をもたらす。電圧が与えられるといつでも、イオンはサマリウムニッケル酸塩のクリスタル格子に入り込みそして出て行く。このサマリウムニッケル酸塩はデンドライトと軸索終末の間のシナプスチャンネルと同じ働きをする。イオン変動はニッケル塩酸がコンダクタンスをあげたり下げたりする原因だ。簡単に言えば、これは電子回路にあらゆる情報を流す能力だ。この強力な結合は電子信号による。

 

 

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ニッケル酸塩半導体は少量のイオン液の近くの二つプラチナ電極に置かれている。外部の回路は時差を電圧に変える。すべてのデバイスはシリコンチップの中にある。

 

 

シナプストランジスタモジュールはシリコントランジスターよりアドバンテージがある。一番は1と0で出来ている二進法に制限がないことだ。

 

 

このシナプストランジスタモジュールはもうひとつ重要なアドバンテージがある。不揮発性記憶装置だ。このメモリータイプが停止したとき、デバイスはその場所を記憶する。さらに、新しいパワートランジスタモジュールは省エネなのだ。

 

 

 

 

 

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IGBTはどうすごい?

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この記事の最後に記載されている説明書によるとIGBTつまり絶縁ゲートバイポーラトランジスタ普通のマルチメーターを使ってテストされている。IGBTは基本的に三つの末端装置のうちの二つを組み合わせたものだ。バイポーラートランジスタと電界効果トランジスタつまりMOSFETだ。IGBTはこれら二つの特徴を併せ持っているため高電流、高電圧、高速スイッチングの応用に利用することができる。今日は、電車、車、冷蔵庫などに内臓されている無段変速、CNCマシン、エアコンやステレオシステムの電源装置、コンバーターやインバーターなどに使われている。

 

高耐電力はモダンIGBTの特徴

 

大きなIGBTコンビネーションモジュールは平行につながっている多数の装置のセットだ。そしてそれは数百のアンプの高電流に耐えられるほどだ。これらの装置は最大6000ボルトも処理することができる。

前述しているように、IGBTは2種類の装置の組み合わせで、それぞれから特徴を引き継いでいる。IGBTの入力にはMOSFETのゲートストラクチャーが使われており、一方出力はPNPタイプのトランジスターだ。PNPトランジスターのベース電流駆動は入力チャンネルに導かれている。さらにNPNトランジスターも入っている。このトランジスターはMOSFESTのソースメタルへ放出することによってベースがショートしたときに稼動しないようになっている。PNPとNPNは4つのレイヤーによって構成されている。PNPNだ。これはサイリスタ構造を形成している。これは過去にラッチアップ電位を引き起こしていたが、最近のIGBTはこのバグをほぼ完全に改善した。

 

どうやってIGBTをテストするか?

 

IGBTをテストするには安定したマルチメーターとデータシートを用意し、次のステップを踏む必要がある。

ステップ1

  1. G1からE1に短絡し、G2からE2に短絡する。
  2. C1からC2を確認し、マルチメーターのE1ジャンクションをダイオード設備にセットする。もしもこのジャンクションでIGBTが正常に稼動したら、ポジティブプローブがC1に取り付けられネガティブプローブがC2E1端子に取り付けられている限り、開回路にする。
  3. もしプローブを変えたら、マルチメーターのダイオードーをドロップにする。

ステップ2

  1. C2E1端子をポジティブプローブにし、C2E1/E2ジャンクションにおけるE2端子をネガティブプローブにする。
  2. 回路はオープンのままにする。
  3. これら二つの端子のプローブの極性を反対にする。ダイオードーの表示はドロップになっているはず。

ステップ3

  1. 6ボルトの電池を使って、ポジティブ端子をG1に、ネガティブ端子をE1につなげる。
  2. マルチメーターセットを使ってC1からC2E1ジャンクションにおいて一方向でなく両方向にダイオードドロップになっていることを確認する。
  3. 電池のポジティブ端子をG2につなぎ、ネガティブ端子をE2につないで同じことをする。もしIGBTが正常に作動したら、C2E1/E2ジャンクションと同様に、両方向がダイオードドロップになっているはず。

参考: http://www.digikey.com/en-US/articles/techzone/2011/jun/igbts-boost-solar-panel-efficiency

 

 

 

 

 

 

 

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参照:http://www.uscomponent.com/ja/blog/

 

IGBTのアドバンテージ

IGBT、いわゆる絶縁ゲートバイポーラトランジスタはある二つの同様な電子部品の有益な性質を併せ持った半導体だ。電界効果トランジスタつまりMOSFETとバイポーラージャンクショントランジスタつまりBJTである。

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これらふたつのコンポーネントの特徴を持ち合わせることはIGBTにとってその他のスイッチング素子にくらべ大きな強みになった。高電圧や高速スイッチングが必要なところでは特にだ。MOSFETからとった特徴は、高速スイッチングと高入力インピーダンスで、BJTからは低飽和電圧だ。

 

IGBTのはじめの二文字はMOSFETの性質である絶縁ゲートテクノロジーに由来している。一方最後の二文字はBJTの性質であるバイポーラトランジスタ出力から来ている。IGBTの伝導の性質と出力スイッチングはバイポーラートランジスタの特有であり、そして電圧調整はMOSFETの代表的な特徴だ。

 

これらのIGBTの特徴的な長所は高電圧で高電流と同時に正確なスイッチングが要求されるような状況でバイポーラートランジスタやMOSFETが満足な働きを出来ない電力応用でも使用に適しているところだ。主にインバーターやコンバーター、そして電源のような装置にIGBTは応用している。

 

IGBTは三つの端子をもったトランスコンダクタンス装置だ。そのうちの二つ(コレクターとエミッター)は電気伝導路に関連していて、最後の端子は(ゲート)はコントロールに関連している。

 

IGBTはMOSFETのベース電流をもったパワーのあるBJTと考えることもできる。実際、IGBTはBJTやMOSFETと全く同じように利用できる。しかし、高速スイッチングで低コンダクタンスのためIGBTはそれ以外の使い方もある。これはパワーエレクトロニクス製品への使用にとって理想だ。

 

電流や電圧の評価はBJTと変わらないにもかかわらず、絶縁ゲートのおかげでIGBTは動かすのもBJTに比べるととても簡単だ。

 

IGBTはゲート端子に用いられてる電圧の変化によって動いている。正極電圧がゲートとエミッターに用いられているときは、装置はONの状態になっている。逆に入力信号が外れているときは、装置はオフになる。

ゲートに用いられている少量の電圧はデバイスを通して伝導を保つ。これは一定の電流がゲートに用いられることで飽和状態にしてしまうBJTと大きく違うところだ。

 

 

 

 

 

 

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